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台积电更新硅芯片菜单oe欧亿登陆
时间: 2021-02-18 13:52 浏览次数:
台积电报道了7nm和极紫外(EUV)光刻技术的进展,并支持了一种平面光刻工艺,与完全耗竭的绝缘体上硅相竞争。它还提供了其工作在包装和平台的关键市场细分。 这家芯片制造商正在庆
 
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台积电报道了7nm和极紫外(EUV)光刻技术的进展,并支持了一种平面光刻工艺,与完全耗竭的绝缘体上硅相竞争。它还提供了其工作在包装和平台的关键市场细分。
 
这家芯片制造商正在庆祝其成立30周年,oe欧亿登陆 预计今年将生产出10多种7nm芯片,并在明年开始量产。这些芯片包括一个4 GHz的四核ARM A72处理器——可能是华为的Kiron移动处理器——一个CCIX开发平台,以及一个未具名的ARM服务器处理器。
 
台积电概述了一种所谓的相对简单的流程,将设计规则和IP移植到使用EUV的N7+流程,该流程可能在2019年投入生产。该流程可以提供比目前的N7节点更高的20倍的密度,8- 10%的速度或15- 20%的功率。台积电设计技术研发副总裁Cliff Hou表示,与16FFC工艺相比,N7+可以在ARM A72核上提高30%的速度或减少50%的功耗。
 
铸造厂将提供一个实用工具,将沉浸式设计规则移植到EUV工艺,将“消除大部分布局差异,”侯说。总的来说,从N7迁移到N7+的工作应该只占迁移到新节点工作的三分之一,他补充道。
 
台积电维护着四个具有独特工艺特性和IP的特定市场平台。这一前沿技术主要聚焦于高性能计算平台,该平台支持更大的超频、更低电阻的金属互连、量身定制的缓存和库。侯教授说:“我们让高性能计算流真正为服务器工作。
 
台积电今年3月宣布,欧亿测速登录 在其22纳米超低功耗(ULP)平面工艺的基础上,增加了一款22纳米超低泄漏(ULL)芯片,以瞄准物联网芯片和5G蜂窝网络芯片。这两种工艺将在明年推出,Spice模型将在2017年底完成,IP区块将在2018年第一季度完成。
 
22ULL过程包括模拟和射频方面的改进,以服务于毫米波5G芯片,以及为低泄漏而优化的嵌入式存储器。它支持0.8V和更低电压的电源管理集成电路。与采用28HP以上工艺的设计相比,该节点可提供5%的光学收缩和25%的低功率。
 
在7到22nm节点之间,台积电正在开发一种12FFC工艺,预计将在2019年投入生产,欧亿在线登录 使用新的六轨(6T)标准细胞库,而16FFC节点为9和7.5T。12FFC工艺可以缩小14- 18%的面积或提供5%的速度。
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